Асеев Александр Леонидович

Российский ученый. Доктор физико-математических наук. Главный научный сотрудник ИФП СО РАН. Ранее занимал должность Вице-президента Российской Академии Наук. Возглавлял Сибирское отделение РАН. Является специалистом по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых. Член секции нанотехнологий РАН.

Александр Асеев родился 24 сентября 1946 года в городе Улан-Удэ, Республика Бурятия. В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета.

В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию на тему: «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках». В 1990 году защищает докторскую диссертацию на тему: «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».

С 1998 года по 25 апреля 2013 года Асеев являлся директором Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова РАН. Его учениками защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Асеев - автор и соавтор 200 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов. Основные научные интересы относятся к изучению атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитию технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.

Под руководством Александра Леонидовича в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии Наук создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда. Выполнены пионерские работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии.

Ученый совместно с коллегами разработал технологию молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Асеев ведет работы по созданию нанотранзисторов, занимается разработкой новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии.

С 2000 года - член-корреспондент, а с 2006 года Александр Леонидович академик РАН. С 2008 года - Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН. С 2008 года - Председатель Сибирского отделения РАН.

С июня 2014 года - член наблюдательного совета Томского политехнического университета. Входит в состав Ученого совета Новосибирского государственного университета. Иностранный член Национальной академии наук Беларуси.

В 2017 году Асеев Александр Леонидович приступил к исполнению полномочий Главного научного сотрудника Института Физики Полупроводников Сибирского Отделения РАН.

Награды и Звания Александра Асеева