Американский инженер. Один из изобретателей интегральной схемы. Основатель корпорации Intel. Является одним из основателей Fairchild Semiconductor. Член Национальной академии США.

Роберт Нортон Нойс родился 12 декабря 1927 года в городе Берлингтон, США. Посещал воскресную школу, а затем общеобразовательную школу. Играл в школьном оркестре, пел в хоре, являлся активным участником латинского, научного и театрального кружков. В 1949 году окончил Гриннеллский колледж со степенью бакалавра, а в 1953 году получил степень доктора по физике в Массачусетском технологическом институте.

С 1956 по 1957 год Нойс работал в «Shockley Semiconductor Laboratory» под руководством изобретателя транзистора Уильяма Шокли, а затем вместе с семью коллегами уволился и основал одну из первых фирм по производству кремниевых полупроводников «Fairchild Semiconductor». Работая там, практически одновременно с Джеком Килби из «Texas Instruments», изобрел интегральную микросхему.

В 1968 году Роберт Нойс вместе с коллегой Гордоном Муром основал корпорацию «Intel». Спустя два года создали Intel 1103 - первую запоминающую микросхему DRAM, производимую в коммерческих масштабах. Компьютерная память на полупроводниковых микросхемах скоро вытеснила распространенную в то время память на магнитных сердечниках. Также являлся руководителем проекта по созданию первого микропроцессора. Вскоре корпорация стала лидером по производству микропроцессоров.

В 1988 году Нойс стал президентом корпорации «Sematech», исследовательского консорциума, совместно финансируемого промышленным капиталом и правительством США с целью развития передовых технологий в американской полупроводниковой промышленности.

    Умер Роберт Нортон Нойс 3 июня 1990 года в возрасте шестидесяти двух лет.

Награды Роберта Нойса

Медаль Стюарта Баллантайна (1966)
Медаль почёта IEEE (1978)
Мемориальная премия Гарри Гуда (1978)
Национальная научная медаль США (1979)
Медаль Фарадея (1979)
Премия Гарольда Пендера (1980)
Национальная медаль США в области технологий (1987)
Премия Чарльза Старка Дрейпера (1989)
Медаль Джона Фрица (1989)
Медаль прогресса (Фотографическое общество Америки) (1991)

Патенты Роберта Нойса

U.S. Patent 2 875 141 Method and apparatus for forming semiconductor structures, февраль 1959, Philco Corporation
U.S. Patent 2 929 753 Transistor structure and method, март 1960, Beckmann Instruments
U.S. Patent 2 959 681 Semiconductor scanning device, ноябрь 1960, Fairchild Semiconductor
U.S. Patent 2 968 750 Transistor structure and method of making the same, январь 1961, Clevite Corporation
U.S. Patent 2 971 139 Semiconductor switching device, февраль 1961, Fairchild Semiconductor
U.S. Patent 2 981 877 Semiconductor Device and Lead Structure, апрель 1961, Fairchild Semiconductor
U.S. Patent 3 010 033 Field effect transistor, ноябрь 1961, Clevite Corporation
U.S. Patent 3 098 160 Field controlled avalanche semiconductive device, июль 1963, Clevite Corporation
U.S. Patent 3 108 359 Method for fabricating transistors, октябрь 1963, Fairchild Camera и Instrument Corp.
U.S. Patent 3 111 590 Transistor structure controlled by an avalanche barrier, ноябрь 1963, Clevite Corporation
U.S. Patent 3 140 206 Method of making a transistor structure (соавтор William Shockley), июль 1964, Clevite Corporation
U.S. Patent 3 150 299 Semiconductor circuit complex having isolation means, сентябрь 1964, Fairchild Camera и Instrument Corp.
U.S. Patent 3 183 129 Method of forming a semiconductor, май 1965, Fairchild Camera и Instrument Corp.
U.S. Patent 3 199 002 Solid state circuit with crossing leads, август 1965, Fairchild Camera и Instrument Corp.
U.S. Patent 3 325 787 Trainable system, июнь 1967 Fairchild Camera и Instrument Corp.